科技让生活更美好
IT之家12月29日报道，据国外媒体ChosunBiz报道，SK海力士最近在美国成立了一家名为SK HNA (SK海力士NAND Development America)的子公司，并通过“挖英特尔的墙角”招募了许多拥有数十年经验的专家，以提高自身的NAND竞争力。
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据悉，SK HNA位于美国加州圣何塞，由大约30名研究人员组成。唯一的目标是“专注于开发高性能NAND技术”。
外媒提到，SK海力士本月从英特尔招聘了高级首席工程师理查德·帕斯托(Richard Pasto)。这位工程师拥有28年的经验，此前曾在AMD、Spansion和Cypress Semiconductor工作，拥有半导体领域包括3D NAND技术在内的数十项专利。收集资料的方法包括调查问卷和访谈
除了理查德·帕斯托(Richard Pasto)，SK海力士还在今年6月招募了拥有30年经验的存储设计专家Rezaul Haque，并在今年11月招募了在英特尔NAND领域工作了13年的工程师Erika Shiple。目前，上述三位人才已成为SK HNA的“关键部门主管”。
与此同时，外媒声称，SK海力士计划利用SK HNA子公司吸引更多NAND人才，并且可以与SK海力士从英特尔收购的另一家子公司产生协同效应，从而缩小与三星电子等对手的差距。
据IT之家早前报道，SK海力士计划在2024年启动HBM4的研发，并推动CXL内存的商业化量产。计划2024年上半年完成96GB和128GB产品的客户认证，下半年实现商用。61001部队
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