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7月4日，IT之家报道称，韩国基础科学研究所(IBS)的研究团队取得突破，成功开发出亚纳米晶体管，超出了现有行业的发展预期。这项技术有望引领下一代低功耗高性能电子设备的研发。
据IT House称，半导体器件的集成度取决于栅电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻分辨率的限制，不可能将栅极长度减小到几纳米以下。二维半导体二硫化钼的镜像孪晶界(MTB)是一种宽度仅为0.4 nm的一维金属。因此，研究人员可以通过将其用作栅电极来克服光刻工艺的局限性。
这一成绩明显好于国际电气和电子工程师协会(IEEE)的预测。IEEE发布的IRDS预测，到2037年，芯片制造工艺将达到0.5 nm左右，晶体管栅极长度将达到12 nm。韩国研究人员开发的1D MTB晶体管的栅极长度仅为3.9纳米。诺基亚925配置
这项研究发表在7月3日的《自然纳米技术》杂志上。在论文中，研究小组解释说，他们在原子水平上控制了现有二维半导体的晶体结构，并将其转变为一维镜像孪晶界(MTB)金属相，从而实现了这一突破。人工控制晶体结构来合成材料是这一技术进步的关键。
与传统的FinFET或GAA技术相比，这种新的1D MTB晶体管也具有固有的优势。研究人员表示，由于其简单的结构和极窄的栅极宽度，这种晶体管可以将寄生电容降至最低，从而带来更高的稳定性。
IBS主任JO Moon-Ho对这项技术的前景表示乐观，认为1D MTB晶体管有望成为未来开发各种低功耗高性能电子设备的关键技术。宽带自动连接器
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