科技让生活更美好
cf名字怎么改xy助手手机直接安装
IT之家2月5日报道称，在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上，三星将推出多款尖端内存产品。
除了此前宣布的GDDR7内存（将在高密度内存和接口大会上亮相）外，这家韩国科技巨头还将发布一款超高速DDR5内存芯片。这款大容量32Gb DDR5 DRAM采用12纳米（nm）工艺技术开发，在相同的封装尺寸下，其容量是16Gb DDR5 DRAM的两倍。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的DDR5芯片的信息，但我们知道这款DDR5的I/O速度高达每引脚8000Mbps，并且它采用三星第五代10nm晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构设计，该架构是专门为DRAM产品量身定制的。
IT之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在2023年底首次宣布新的DDR5产品时表示:“通过我们的12nm级32Gb DRAM，我们获得了一种解决方案，该解决方案可以实现高达1TB（TB的DRAM模块，因此我们可以理想地满足人工智能（AI）和大数据时代对大容量DRAM日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，以突破内存技术的限制。”
之前使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB DRAM模块需要通过硅（TSV）工艺。然而，新的32Gb DRAM允许在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，三星表示该工艺将降低约10%的功耗。对于目前正在努力应对人工智能日益增长的能源需求的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
三星最新的DDR5技术允许在单通道配置中以DDR5-8000的速度创建32 GB和48 GB的DIMM，并在双通道配置中支持64 GB和96 GB的DIMM。yy公会名字大全霸气2个字
未经允许不得转载：科技让生活更美好 » 消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片
